從2D FET到2D CFET 製程微縮帶動2D材料需求(1)

2025 年 03 月 28 日
為延續摩爾定律(Moore’s Law),半導體製程微縮的技術創新方向不斷轉變。採用2D結構的互補式場效電晶體(CFET),將是下一個推動產業變革的技術。 近二十年來,受摩爾定律啟發的純電路微縮,已不再是預測CMOS技術節點演變的唯一指標。第一個徵兆出現在2005年左右,當時Dennard縮放已經開始放慢。(編按:Dennard定律是指在固定功耗下,製程節點升級可帶來的性能提升幅度)。...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

從2D FET到2D CFET 製程微縮帶動2D材料需求(2)

2025 年 03 月 28 日

3D NAND邁向千層堆疊 imec超前布署改良型結構(2)

2023 年 08 月 28 日

分子介面工程助攻 鈣鈦礦電池效率更上層樓

2023 年 10 月 11 日

先進封裝大行其道 ESD保護更顯重要(2)

2024 年 07 月 19 日

imec執行長Luc Van den hove:閉門造車,惟致平庸

2024 年 09 月 26 日

可程式化移相器問世 光子晶片設計彈性大增(1)

2024 年 11 月 12 日
前一篇
從2D FET到2D CFET 製程微縮帶動2D材料需求(2)
下一篇
馬自達與ROHM聯合開發氮化鎵功率半導體車載元件